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![]() 为了保持电力电子系统竞争优势，同时也为了使z终用户获得经济效益，一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET绝对成本持续下降，使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。 |
| 公司名称： |
上海倾佳电力电子功率模块有限公司 |
公司类型： |
企业单位 () |
| 所 在 地： |
上海 |
公司规模： |
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| 注册资本： |
未填写 |
注册年份： |
2018 |
| 资料认证： |
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| 保 证 金： |
已缴纳 0.00 元 |
| 经营范围： |
杨茜SiC功率模块国产替代英飞凌碳化硅SiC模块|杨茜SiC功率模块国产替代英飞凌IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代三菱IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代赛米控IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代富士IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代赛米控丹佛斯功率模块|杨茜汽车级碳化硅SiC模块|杨茜34mm碳化硅SiC模块|杨茜62mm碳化硅SiC模块|杨茜ED3碳化硅SiC模块|杨茜PIM碳化硅SiC模块|SiC加速替代IGBT|上海SiC碳化硅MOSFET|基本半导体SiC MOSFET一级 |
| 销售的产品： |
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| 采购的产品： |
杨茜SiC功率模块国产替代英飞凌碳化硅SiC模块|杨茜SiC功率模块国产替代英飞凌IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代三菱IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代赛米控IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代富士IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代赛米控丹佛斯功率模块|杨茜汽车级碳化硅SiC模块|杨茜34mm碳化硅SiC模块|杨茜62mm碳化硅SiC模块|杨茜ED3碳化硅SiC模块|杨茜PIM碳化硅SiC模块|SiC加速替代IGBT|上海SiC碳化硅MOSFET|基本半导体SiC MOSFET一级 |
| 主营行业： |
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